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佳能發(fā)布i線光刻機“FPA-5520iV HR Option” ——分辨率達0.8微米，可對應(yīng)先進封裝的后道工序
FOWLP功能的半導(dǎo)體曝光設(shè)備市場正在擴大。在FOWLP封裝技術(shù)市場中，對高密度布線的需求高，進而提高了對分辨率的要求。
新產(chǎn)品在繼承了“FPA-5520iV”（2016年7月上市）的強大FOWLP功能及高生產(chǎn)效率等基本性能的同時，進一步提高了分辨率，達0.8微米※3。
實現(xiàn)分辨率0.8微米
“FPA-5520iV”原本具有1.0微米的分辨率，而在“FPA-5520iV HR Option”中采用了全新投射光學(xué)系統(tǒng)，使針對封裝的光刻機可以實現(xiàn)分辨率0.8微米的微細圖形加工，達到業(yè)界高水平※4。由此，半導(dǎo)體芯片可更小，而且能夠增加信息處理量，提升處理速度。
繼承“FPA-5520iV”的基本性能
新產(chǎn)品同時也繼承了“FPA-5520iV”已實現(xiàn)的多個基本性能。如可以靈活應(yīng)對再構(gòu)成基板※5變形等FOWLP技術(shù)中的量產(chǎn)問題，以及在芯片排列偏差較大的再構(gòu)成基板上檢測校準(zhǔn)標(biāo)記、從而提高生產(chǎn)效率等性能。
佳能未來將繼續(xù)提供針對半導(dǎo)體曝光設(shè)備的多種解決方案和升級選項等，來滿足市場需求。
※1?使用水銀燈波長為365納米光源的半導(dǎo)體曝光設(shè)備。1納米是10億分之一米。
※2?Fan Out Wafer Level Package的簡寫。封裝技術(shù)的一種。有可以應(yīng)對無基板、封裝面積比芯片大且引腳較多的封裝等優(yōu)勢。
※3?1微米是100萬分之一米。（= 1000分之一毫米）
※4?將從半導(dǎo)體光刻機前道工序中制造的晶元中取出多個半導(dǎo)體芯片原件并排列，用樹脂固定成晶元形狀的基板。
※5?用來校準(zhǔn)曝光設(shè)備在基板上的位置。通過觀察和測量多個標(biāo)記，精密把握曝光裝置的位置。
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＜半導(dǎo)體曝光設(shè)備的市場動向＞
通過微型化實現(xiàn)高度集成的半導(dǎo)體元件制造工藝暫時處于停滯狀態(tài)。作為微型化以外的高度集成方法之一，提高封裝布線密度的方案被提出。其中，F(xiàn)OWLP作為較有力的技術(shù)受到廣泛關(guān)注，伴隨后道工序制造廠商量產(chǎn)化趨勢逐漸興起的同時，F(xiàn)OWLP的RDL※微型化也得到了發(fā)展。
＜主要商品規(guī)格＞
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光罩尺寸 |
外形：6英寸（152.4mm）、厚度：0.25 英寸（6.35mm） |
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晶元尺寸 |
直徑300mm |
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| 投影鏡頭 | 倍率 | 1／2 |
| 分辨率 | 0.8μm | |
| 畫面Size | 52×34mm | |
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重合精度 |
≦0.15μm（m＋3σ） | |
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吞吐量 |
≧125 枚／時 （42shots條件／曝光量 1000J/m2 時） | |
| ≧ 53 枚／時 （60shots條件／曝光量 10000J/m2 時） | ||