2017年12月11日， 佳能正式發售適用于i線半導體光刻機“FPA-5550iZ2”※1和KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a”※2的新產品——“200mm Option”。

i線半導體光刻機“FPA-5550iZ2”（2016年12月發售）和KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a”（2012年4月發售）兩款設備自發售以來，在存儲器、邏輯電路、圖像傳感器等物聯網和車載半導體元件生產制作等方面的優勢，備受業界好評。從即日起，佳能將正式發售兩種機型通用的新品配件——“200mm Option”。

FPA-5550iZ2FPA-6300ES6a

? ? ? ?在存儲器和微處理器等半導體元件的制造領域，需要采用先進的微細加工技術，目前通常采用的是300mm晶圓規格。隨著物聯網應用和車載設備的迅速普及，該領域的半導體元件市場需求也不斷擴大，而這個領域的半導體元件需要利用成熟的工藝進行多品種少量的生產，因此元件制造廠商迫切需要能夠應對200mm晶圓需求的設備。

佳能發布對應200mm 晶圓需求的新品配件"200mm Option"，能夠通用于i線半導體光刻機“FPA-5550iZ2”、KrF半導體光刻機“FPA-6300ES6a”,更廣泛地滿足客戶需求。

實現業界高水準※3的高生產效率

通過配備“200mm Option”，在200mm晶圓規格下，“FPA-5550iZ2”和“FPA-6300ES6a”較快曝光處理速度分別達到每小時230片※4和每小時255片※5。在實現了同級別光刻機中高水準生產效率的同時也滿足了降低CoO※6（半導體制造設備投資和使用所需成本）的需求。

在統一化平臺上可以輕松升級解決方案并使其多樣化

? ? ? ?“FPA-5550iZ2”、“FPA-6300ES6a”自發售以來，由于使用了安全、高品質的統一平臺, 因此能夠為運行中的設備提供解決方案，為提高生產效率和重合精度實現持續升級。

? ? ? ?為不斷滿足客戶提高生產效率的需求，佳能今后也會持續地為半導體光刻機提供更加多樣化的解決方案和升級服務。

※1. 使用i線（水銀燈波長365nm）光源的半導體光刻機。1nm（納米）是10億分之1米。

※2. 使用波長248nm，混合了稀有氣體氪（Kr）和鹵素氣體氟（F）的激光的半導體光刻機。

※3. 同級別的i線半導體光刻機以及KrF半導體光刻機的范圍內。截止2017年12月10日。（佳能數據）

※4. 200mm晶圓,58Shot的條件下,每1小時的晶圓曝光處理片數。

※5. 200mm晶圓,46Shot的條件下,每1小時的晶圓曝光處理片數。

※6. Cost of Ownership的縮略語。半導體制造設備投資和使用所需成本。是半導體廠商的生產線衡量工程和制造設備生產效率的指標之一。